STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 920-6645
- Tillv. art.nr:
- STP4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 049,60 kr
(exkl. moms)
2 562,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 40,992 kr | 2 049,60 kr |
| 250 + | 38,41 kr | 1 920,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-6645
- Tillv. art.nr:
- STP4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5