STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 58 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 920-8843
- Tillv. art.nr:
- STFW69N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
3 091,77 kr
(exkl. moms)
3 864,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 103,059 kr | 3 091,77 kr |
| 150 + | 96,566 kr | 2 896,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-8843
- Tillv. art.nr:
- STFW69N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 143nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25, +25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.7mm | |
| Bredd | 5.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 26.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 143nC | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25, +25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.7mm | ||
Bredd 5.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 26.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 710 V Förbättring, 3 Ben, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 710 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 710 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M5