STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, STFW4
- RS-artikelnummer:
- 151-932
- Tillv. art.nr:
- STFW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 499,91 kr
(exkl. moms)
1 874,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 49,997 kr | 1 499,91 kr |
| 150 - 270 | 48,746 kr | 1 462,38 kr |
| 300 + | 47,398 kr | 1 421,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-932
- Tillv. art.nr:
- STFW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Serie | STFW4 | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 44mm | |
| Längd | 44mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Serie STFW4 | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 44mm | ||
Längd 44mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
STMicroelectronics Power MOSFET är utformad med den konsoliderade remslayouten baserad MESH OVERLAY-processen. Resultatet är en produkt som matchar eller förbättrar prestandan av jämförbara standarddelar från andra tillverkare.
100 % avalanche-testade
Intrinsiska kapacitanser och Qg minimeras
Höghastighetsomkoppling
Helt isolerad TO 3PF-plastförpackning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, STFW4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh