STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

77,50 kr

(exkl. moms)

96,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 14 370 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +7,75 kr77,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5181
Tillv. art.nr:
STD1NK60T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

30W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Bredd

6.2 mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar