onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
44,35 kr
(exkl. moms)
55,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 766 enhet(er) levereras från den 08 april 2026
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 44,35 kr |
| 10 + | 38,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.016Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.016Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 79 A 150 V Förbättring TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 92 A 30 V Förbättring TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 79 A 150 V Förbättring TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 29 A 100 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 7 A 30 V Förbättring SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad 2.6 A 20 V Förbättring MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 12 A 40 V Förbättring Power 33, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
