onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-4875
- Tillv. art.nr:
- FDP8896
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
114,91 kr
(exkl. moms)
143,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 5 kvar, redo att levereras
- Sista 505 enhet(er) levereras från den 05 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 22,982 kr | 114,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-4875
- Tillv. art.nr:
- FDP8896
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 92A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 80W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal effektförlust Pd 80W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Dubbla N-kanals effekt-Trench MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Power 33, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, PowerTrench MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench