Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

133,82 kr

(exkl. moms)

167,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 280 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4526,764 kr133,82 kr
50 - 9524,372 kr121,86 kr
100 - 24522,288 kr111,44 kr
250 - 99520,564 kr102,82 kr
1000 +19,174 kr95,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2784
Tillv. art.nr:
IPD046N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel 80V MOSFET. It is an ideal for high frequency switching and synchronous rectification. This MOSFET has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET qualified according to JEDEC1 for target application and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Excellent gate charge

Very low on resistance

relaterade länkar