Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

91,13 kr

(exkl. moms)

113,91 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 420 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 409,113 kr91,13 kr
50 - 907,706 kr77,06 kr
100 - 2407,168 kr71,68 kr
250 - 9907,011 kr70,11 kr
1000 +6,866 kr68,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3012
Tillv. art.nr:
IPD900P06NMATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-16.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-27nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in mediu

Easy interface to MCU

Fast switching

Avalanche ruggedness

relaterade länkar