Sök efter MPN

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

RS-artikelnummer:: 273-3010
Tillv. art.nr:: IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

77,06 kr

(exkl. moms)

96,32 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 490 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 40	7,706 kr	77,06 kr
50 - 90	6,518 kr	65,18 kr
100 - 240	6,059 kr	60,59 kr
250 - 990	5,936 kr	59,36 kr
1000 +	5,824 kr	58,24 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 273-3010
Tillv. art.nr:: IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PG-TO252-3
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	26W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PG-TO252-3
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 26W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD60R1K0PFD7SAUMA1

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar