Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R1K0PFD7SAUMA1

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

7 560,00 kr

(exkl. moms)

9 450,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,024 kr7 560,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3009
Tillv. art.nr:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

26W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

relaterade länkar