Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

7 560,00 kr

(exkl. moms)

9 450,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,024 kr7 560,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3009
Tillv. art.nr:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PG-TO252-3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

26W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning