Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

9 999,00 kr

(exkl. moms)

12 499,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +9,999 kr9 999,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5117
Tillv. art.nr:
IPB120N06S403ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Relaterade länkar