Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 229-1818
Tillv. art.nr:: IPB120P04P4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

13 978,00 kr

(exkl. moms)

17 472,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 07 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	13,978 kr	13 978,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 229-1818
Tillv. art.nr:: IPB120P04P4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	iPB
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Maximal effektförlust Pd	136W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.3V
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie iPB
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Maximal effektförlust Pd 136W
	Framåtriktad spänning Vf -1.3V
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

Infineon iPB-serien MOSFET, 40 V maximal drain source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB120P04P4L03ATMA2

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling och termisk motståndskraft i fordons- och industrimiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för användning där robusta grindtoleranser och låga ledningsförluster krävs.

Funktioner och fördelar:

• 40 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 120 A stöder hantering av tung belastning
• Låg Rds(on) på 3.1 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• Effektförlust på 136 W möjliggör hållbar strömhantering
• Vgs-tolerans upp till 16 V möjliggör högre grinddrivarmarginaler
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C upprätthåller drift i extrema förhållanden

Användningsområden

• Lämplig för skyddskretsar för högströmsbatterier
• Idealisk för fordonsströmfördelningsmoduler
• Används med motorstyrenhet på låg- eller högsidan
• Kan användas för synkron omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för strömhanteringsfunktioner i elfordon

Vilket paket använder den för kretskortsmontering?

Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering som är utformad för montering på lödda kort.

Hur uppför sig den termiskt vid hög belastning?

Enheten kan avleda upp till 136 W vid korrekt kylning, vilket möjliggör långvarig drift vid hög effekt med adekvat värmehantering.

Vilka grindgränser bör iakttas under designen?

Grindkällans spänning får inte överstiga 16 V för att undvika grindöverspänning.

Är den lämplig för fordonskvalificeringskrav?

Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden för halvledarkvalificering.