Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 229-1818
Tillv. art.nr:: IPB120P04P4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 978,00 kr

(exkl. moms)

17 472,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	13,978 kr	13 978,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 229-1818
Tillv. art.nr:: IPB120P04P4L03ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	iPB
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-263
	Serie iPB
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L-03, -40 V, P-kanal, 3,1 mΩ max, fordons-MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM-P2

Infineons MOSFET med logisk nivå på p-kanal har högsta strömkapacitet och är 100 procent avalanche-testad. Den har de lägsta omkopplings- och ledningseffektsförlusterna för högsta termiska effektivitet.

Sammanfattning av funktioner

•P-kanal – Logiknivå – Förbättringsläge

•AEC-godkänd

•MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

•175 °C drifttemperatur

•Grön förpackning (RoHS-kompatibel)

•100 % avalanche-testad

Fördelar

•Ingen laddningspump krävs för High-Side-drivning.

•Enkel gränssnittsdrivkrets

•Världens lägsta RDSon på 40 V

•Högsta strömkapacitet

•Lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet

•Robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet

•Standardpaket TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Potentiella tillämpningar

•High-Side MOSFET för motorbryggor (halvbryggor, H-bryggor, 3-fasmotorer)

•Bryggkonfigurationen kan realiseras med 40 V P-kanal som High-Side-enhet utan behov av laddningspump