Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 260-5121
- Tillv. art.nr:
- IPB180N10S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 260-5121
- Tillv. art.nr:
- IPB180N10S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanal optiMOS-effekt-MOSFET ger utmärkt grindladdning. Den har högsta strömkapacitet. Denna N-kanal MOSFET-transistor fungerar i förstärkningsläge.
Förbättringsläge för N-kanal
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101