Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 259-1549
- Tillv. art.nr:
- IPB120N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
9 107,00 kr
(exkl. moms)
11 384,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 9,107 kr | 9 107,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1549
- Tillv. art.nr:
- IPB120N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 40 V hanterar alla typer av EPS-motorstyrning, 3-fas- och H-bryggmotorer, HVAC-fläktstyrning, elektriska pumpar etc. särskilt i kombination med PWM-styrning. Därför kommer OptiMOS-T2 40 V-produkter baserade på Infineons avancerade trench-teknik att vara riktmärket för nästa generations fordonstillämpningar inom energieffektivitet, koldioxidreducering, e-drivenheter.
Förbättringsläge för N-kanal
AEC-godkänd
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
Ultralåg Rds(on)
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101