Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 260-5118
- Tillv. art.nr:
- IPB120N06S403ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
83,89 kr
(exkl. moms)
104,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 970 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 41,945 kr | 83,89 kr |
| 20 - 48 | 35,225 kr | 70,45 kr |
| 50 - 98 | 32,705 kr | 65,41 kr |
| 100 - 198 | 30,69 kr | 61,38 kr |
| 200 + | 28,505 kr | 57,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5118
- Tillv. art.nr:
- IPB120N06S403ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanal optiMOS-effekt-MOSFET ger utmärkt grindladdning. Den har högsta strömkapacitet. Denna N-kanal MOSFET-transistor fungerar i förstärkningsläge.
Förbättringsläge för N-kanal
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101