Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A, TSON, IQE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

40,32 kr

(exkl. moms)

50,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 854 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1820,16 kr40,32 kr
20 - 4816,745 kr33,49 kr
50 - 9815,735 kr31,47 kr
100 - 19814,505 kr29,01 kr
200 +13,495 kr26,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3921
Tillv. art.nr:
IQE013N04LM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

205A

Serie

IQE

Kapseltyp

TSON

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

35mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power-MOSFET is best-in-class power MOSFET optimizes the end user experience by challenging the status quo in power density and form factor. One target in power tool design is to minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling a more ergonomic design. Moving the inverter from the handle into the head minimizes the volume of the power tool motor housing while simultaneously keeping the torque of the tool at a reasonably high level for quick and easy action.

superior thermal performance in RthJC

Optimized layout possibilities

Standard and centre-gate footprint

High current capability

More efficient use of PCB area

Highest power density and performance

Optimized footprint for MOSFET parallelization with Centre-Gate

Relaterade länkar