Infineon N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V Förbättring, 9 Ben, WHTFN, IQE

Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är en ytmonterad strömförsörjningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde för tuffa miljöer och ger en låg påslagningsresistans för effektiv strömomvandling. Enheten levereras i en WHTFN-kapsel med flera stift för att stödja termisk och strömhantering i täta layouter.

• 1.35 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• 205 A kontinuerlig ström med stöd för kraftig strömomkoppling
• 40 V drain-källspänning möjliggör användning av medelspänningssystem
• 1 V framspänning minskar förluster i diodledningsvägar
• Drift från -55 °C till +175 °C förlänger användningen i extrema temperaturer

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i strömhanteringssystem
• Idealisk för högströmsmotordrivningsstegen i kompakta moduler
• Används med strömfördelningsmatriser som kräver låg resistans
• Kan användas för batteriskydd och högströmsomkoppling

Den levereras i en WHTFN-kapsel som underlättar ytmontering och stöder värmeavledning genom flera stift.

Enheten använder ett n-kanalsförbättringsläge, vilket möjliggör switching på låg sida med låga krav på grinddrivning för effektiv styrning.

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas för användning i fordonsklass.