Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V, TTFN, IQE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

81,31 kr

(exkl. moms)

101,638 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1840,655 kr81,31 kr
20 - 4836,23 kr72,46 kr
50 - 9833,655 kr67,31 kr
100 - 19831,19 kr62,38 kr
200 +29,29 kr58,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3923
Tillv. art.nr:
IQE013N04LM6CGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

205A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TTFN

Serie

IQE

Typ av fäste

Yta

Framåtriktad spänning Vf

1V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS effekt-MOSFET 40 V i ett 3,3 x 3,3 PQFN Source-Down Centre-Gate-paket. Denna klassens bästa effekt-MOSFET utmanar status quo i effekttäthet och formfaktor i slutanvändningen. Ett mål i designen av elverktyg är att minimera de interna begränsningarna av krav på kretskortsområde, möjliggöra en ergonomisk design och optimera slutanvändarupplevelsen. Att flytta växelriktaren från handtaget till huvudet samtidigt minimerar volymen i elverktygets motorhus samtidigt som verktygets vridmoment hålls på en rimligt hög nivå för snabb och enkel åtgärd.

Hög strömkapacitet

Effektivare användning av PBC-området

Högsta effekttäthet och prestanda

Optimerat fotavtryck för MOSFET-parallellisering med mittgrind

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.