Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

57,57 kr

(exkl. moms)

71,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 023 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 957,57 kr
10 - 2454,66 kr
25 - 4952,53 kr
50 - 9950,18 kr
100 +46,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0679
Tillv. art.nr:
BSC012N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

306A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

214W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V drain-source-spänning, 306 A kontinuerlig drain-ström – BSC012N06NSATMA1


Denna MOSFET är en högströmsförstärkningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad effektomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och stöder gate-drivspänningar upp till den angivna gränsen. Enheten levereras i ett kompakt TSON-paket för montering på kretskort med låg profil och uppfyller RoHS-miljöbegränsningar.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster för högeffektiva konstruktioner
• Hög kontinuerlig ström möjliggör kompakta högeffektsmoduler
• Betydande effektförlust stöder långvariga termiska belastningar
• Brett arbetstemperaturområde upprätthåller prestanda under tuffa förhållanden
• Gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivenhetsimplementeringar för omkopplingskretsar

Användningsområden


• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering i strömhanteringssteg
• Används med motorstyrda växelriktare som kräver ytmonteringslösningar
• Kan användas för server- och telekommunikationsmoduler för strömfördelning

Vilken monteringsmetod rekommenderas för tillförlitlig kretskortsanslutning?


Enheten levereras som en ytmonterad komponent i en TSON-kapsel utformad för lödning på kretskortsdynor för montering med låg profil.

Hur påverkar den nominella grindspänningen valet av drivare?


Den maximala grind-till-källspänningen är 20 V, så förare bör inte överskrida denna tröskel för att undvika grindskador.

Vilka termiska gränser bör beaktas för kontinuerlig drift?


Delen kan avleda upp till 214 W

värmehantering måste säkerställa att kopplingstemperaturerna förblir inom det tillåtna driftområdet.

Är enheten lämplig för fordonskvalificering?


Komponenten är inte specificerad för att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas i enlighet därmed.

Vilka framåtriktade diodegenskaper är relevanta för synkroniserade konstruktioner?


Den inneboende dioden uppvisar en framåtriktad spänning på 1,2 V som påverkar lednings- och återhämtningsbeteendet i likriktningskretsar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.