Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V, TSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 258-0679
- Tillv. art.nr:
- BSC012N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
58,46 kr
(exkl. moms)
73,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 023 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 58,46 kr |
| 10 - 24 | 55,66 kr |
| 25 - 49 | 53,31 kr |
| 50 - 99 | 50,96 kr |
| 100 + | 47,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0679
- Tillv. art.nr:
- BSC012N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 306A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 306A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS MOSFET i SuperSO8-paket utökar OptiMOS 3- och 5-produktportföljen och möjliggör högre effekttäthet förutom förbättrad robusthet, vilket svarar på behovet av lägre systemkostnad och ökad prestanda. Låg omvänd återställningsladd förbättrar systemets tillförlitlighet genom att ge en betydande minskning av spänningsöverskridning, vilket minimerar behovet av snubberkretsar, vilket resulterar i mindre tekniska kostnader och ansträngning.
Lägre temperatur vid full belastning
Utan parallellkoppling
Minskad överskjutning
Ökad effekttäthet i systemet
Mindre storlek
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V, TSON, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
