Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 258-0679
- Tillv. art.nr:
- BSC012N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
46,77 kr
(exkl. moms)
58,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 023 enhet(er) från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 46,77 kr |
| 10 - 24 | 44,53 kr |
| 25 - 49 | 42,70 kr |
| 50 - 99 | 40,69 kr |
| 100 + | 38,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0679
- Tillv. art.nr:
- BSC012N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 306A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 306A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS MOSFET i SuperSO8-paket utökar OptiMOS 3- och 5-produktportföljen och möjliggör högre effekttäthet förutom förbättrad robusthet, vilket svarar på behovet av lägre systemkostnad och ökad prestanda. Låg omvänd återställningsladd förbättrar systemets tillförlitlighet genom att ge en betydande minskning av spänningsöverskridning, vilket minimerar behovet av snubberkretsar, vilket resulterar i mindre tekniska kostnader och ansträngning.
Lägre temperatur vid full belastning
Utan parallellkoppling
Minskad överskjutning
Ökad effekttäthet i systemet
Mindre storlek
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 306 A 60 V, TSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon 1 N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor