Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 24 Ben, TSDSO, IQE
- RS-artikelnummer:
- 260-1072
- Tillv. art.nr:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
51 414,00 kr
(exkl. moms)
64 266,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 8,569 kr | 51 414,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1072
- Tillv. art.nr:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 310A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | IQE | |
| Kapseltyp | TSDSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 24 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 310A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie IQE | ||
Kapseltyp TSDSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 24 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IQE-serien MOSFET, 25 V maximal drain-source-spänning, 310 A maximal kontinuerlig drain-ström – IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningstransistor som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver hög kontinuerlig ström och låga ledningsförluster samtidigt som den uppfyller RoHS-gränsvärden. Enheten använder ett 24-stifts TSDSO-paket och är avsedd för kompakt integrering på kortnivå.
Funktioner och fördelar:
• 0.75 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna vid drift med hög ström
• 1 V framspänning minskar strömförluster i ledningsbanor
• 310 A kontinuerlig dräneringsström stöder omkopplingskrav för tung belastning
• Arbetsområde -55 °C till 150 °C möjliggör användning i extrema temperaturer
• 24-stifts ytmontering underlättar kretskortsmontering med hög densitet
• 1 V framspänning minskar strömförluster i ledningsbanor
• 310 A kontinuerlig dräneringsström stöder omkopplingskrav för tung belastning
• Arbetsområde -55 °C till 150 °C möjliggör användning i extrema temperaturer
• 24-stifts ytmontering underlättar kretskortsmontering med hög densitet
Användningsområden
• Lämpligt för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Idealisk för strömfördelning inom industriell elektronik
• Används med motorstyrningsteg som kräver låga förluster
• Kan användas för halvledarstyrda strömomkopplingsmoduler
• Passar för kompakta konstruktioner för ytmontering med hög effekt
• Idealisk för strömfördelning inom industriell elektronik
• Används med motorstyrningsteg som kräver låga förluster
• Kan användas för halvledarstyrda strömomkopplingsmoduler
• Passar för kompakta konstruktioner för ytmontering med hög effekt
Vilket paket använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i en TSDSO-kapsel konfigurerad för ytmontering.
Hur påverkar kanaltypen kopplingsbeteendet?
N-kanalens förstärkningsläge ger låg påslagningsresistans och effektiv ledning när den körs in i förstärkning.
Vilka miljögränser definierar dess användbara temperatur?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C för breda termiska förhållanden.
Vilken regleringsbegränsning iakttas för material?
Komponenten är RoHS-kompatibel, vilket begränsar vissa farliga ämnen.
Vilken dräneringsspänning bör inte överskridas?
Den maximala tillåtna dräneringskällspänningen är 25 V.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 24 Ben, TSDSO, IQE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Förbättring, 8 Ben, WHSON, IQE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V Förbättring, 9 Ben, WHTFN, IQE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WHSON, IQE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 205 A, TSON, IQE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 205 A 40 V, TTFN, IQE
- Infineon Halvbrygga N Kanal, MOSFET-moduler, 100 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, PG-TSDSO, EasyPACK
- Infineon N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
