Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

36,11 kr

(exkl. moms)

45,138 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 996 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1818,055 kr36,11 kr
20 - 4816,24 kr32,48 kr
50 - 9815,175 kr30,35 kr
100 - 19814,11 kr28,22 kr
200 +13,215 kr26,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3881
Tillv. art.nr:
IPG20N06S4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Standards/Approvals

AEC Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is dual super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested


relaterade länkar