Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

45,47 kr

(exkl. moms)

56,838 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1822,735 kr45,47 kr
20 - 4820,44 kr40,88 kr
50 - 9819,15 kr38,30 kr
100 - 19817,75 kr35,50 kr
200 +16,575 kr33,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3881
Tillv. art.nr:
IPG20N06S4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Standards/Approvals

AEC Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is dual super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Relaterade länkar