Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

21 650,00 kr

(exkl. moms)

27 050,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,33 kr21 650,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-1558
Tillv. art.nr:
BSC0924NDIATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOSTM

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Pin Count

8

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Forward Voltage Vf

1V

Transistor Configuration

Dual N Channel

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1, IEC61249-2-22

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET,Integrated monolithic Schottky-like diode and Optimized for high performance Buck converter.

N Channel

100% Avalanche tested

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

relaterade länkar