Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

30 310,00 kr

(exkl. moms)

37 890,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +6,062 kr30 310,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3880
Tillv. art.nr:
IPG20N06S4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOSTM-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Standards/Approvals

AEC Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is dual super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested


relaterade länkar