Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON,

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

29 355,00 kr

(exkl. moms)

36 695,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +5,871 kr29 355,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9061
Tillv. art.nr:
IPG20N06S4L11AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

65W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge.

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

RoHS, MSL1, AEC Q101

Längd

5.15mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Relaterade länkar