Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

28 925,00 kr

(exkl. moms)

36 155,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +5,785 kr28 925,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3882
Tillv. art.nr:
IPG20N10S4L22AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Dual N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Forward Voltage Vf

1V

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is Dual N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

relaterade länkar