Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

23 117,50 kr

(exkl. moms)

28 897,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +9,247 kr23 117,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3870
Tillv. art.nr:
IPD90P04P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-90A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

135nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

AEC qualified

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Relaterade länkar