Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3841
- Tillv. art.nr:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
8 682,50 kr
(exkl. moms)
10 852,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 3,473 kr | 8 682,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3841
- Tillv. art.nr:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | PG-TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -0.31V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 58W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp PG-TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -0.31V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 58W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-2-effekttransistor har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Enkel gränssnittsdrivkrets
Världens lägsta RDSon på 40 V
Högsta strömkapacitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101