Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 682,50 kr

(exkl. moms)

10 852,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,473 kr8 682,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3841
Tillv. art.nr:
IPD50P03P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-50A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

PG-TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

10.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal effektförlust Pd

58W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Relaterade länkar