Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3845
- Tillv. art.nr:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
36,51 kr
(exkl. moms)
45,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 832 enhet(er) från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 18,255 kr | 36,51 kr |
| 20 - 48 | 16,41 kr | 32,82 kr |
| 50 - 98 | 15,51 kr | 31,02 kr |
| 100 - 198 | 14,45 kr | 28,90 kr |
| 200 + | 13,385 kr | 26,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3845
- Tillv. art.nr:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 58W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal effektförlust Pd 58W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons OptiMOS-P2 effekttransistor ger lägsta möjliga förluster vid switchning och ledning för högsta termiska effektivitet. Robusta paket med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Ingen laddningspump krävs för drivning på högsidan
Enkel drivkrets för gränssnitt
Högsta strömkapacitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101