Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3862
- Tillv. art.nr:
- IPD70P04P409ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
41,10 kr
(exkl. moms)
51,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 222 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 20,55 kr | 41,10 kr |
| 20 - 48 | 18,48 kr | 36,96 kr |
| 50 - 98 | 17,36 kr | 34,72 kr |
| 100 - 198 | 16,07 kr | 32,14 kr |
| 200 + | 14,785 kr | 29,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3862
- Tillv. art.nr:
- IPD70P04P409ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -73A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -73A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IPD-serien MOSFET, 75 W effektförlust -40 V drain-source-spänning - IPD70P04P409ATMA2
Denna MOSFET är en effekttransistor i P-kanalförstärkningsläge som är utformad för ytmonteringstillämpningar i krävande elektriska miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till 175 °C och är lämplig där högströmshantering och kompakt montering krävs. Enheten uppfyller RoHS och uppfyller fordonsstandard AEC-Q101 för användning i fordonsklassad elektronik.
Funktioner och fördelar:
• 8.9 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på -73 A stöder höga strömkrav
• Effektförlust på 75 W möjliggör hållbar strömhantering
• 54 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• TO‐252-kapseln underlättar kompakt ytmontering
• Kontinuerlig dräneringsström på -73 A stöder höga strömkrav
• Effektförlust på 75 W möjliggör hållbar strömhantering
• 54 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• TO‐252-kapseln underlättar kompakt ytmontering
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling av högströmslaster i fordonssystem
• Idealisk för skydd mot omvänd polaritet i strömskenor
• Används med strömhanteringskretsar i fordonselektronik
• Kan användas för synkronstyrning i DC-effektsteg
• Lämplig för termiskt stabila konstruktioner över breda temperaturområden
• Idealisk för skydd mot omvänd polaritet i strömskenor
• Används med strömhanteringskretsar i fordonselektronik
• Kan användas för synkronstyrning i DC-effektsteg
• Lämplig för termiskt stabila konstruktioner över breda temperaturområden
Vilken spänningsklassning gäller mellan avtappning och källa?
Enheten är klassad för -40 V maximal dränerings-till-källspänning.
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för att undvika skador?
Gate‐to‐source-spänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra grindstress.
Hur påverkar förpackningen kretskortsmontering?
Formfaktorn TO‐252 för ytmontering stöder standardlödningsprocesser och kompakta kortlayouter.
Vilka termiska extremer kan enheten tolerera under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för ett brett temperaturområde.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101