Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

16 935,00 kr

(exkl. moms)

21 170,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,774 kr16 935,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
229-1838
Tillv. art.nr:
IPD90P03P404ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

100nC

Maximal effektförlust Pd

137W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.22mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Höjd

2.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons n-kanals power MOSFET med normal nivå används för fordonsapplikationer. Den har lägsta effektförluster vid switchning och ledning för högsta termiska effektivitet. Det är robusta paket med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.

Den är RoHS-kompatibel och AEC-certifierad

Den har en driftstemperatur på 175°C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.