Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

37,41 kr

(exkl. moms)

46,762 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 572 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1818,705 kr37,41 kr
20 - 4816,80 kr33,60 kr
50 - 9815,735 kr31,47 kr
100 - 19814,56 kr29,12 kr
200 +13,44 kr26,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3867
Tillv. art.nr:
IPD85P04P407ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-85A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

7.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

69nC

Maximal effektförlust Pd

88W

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, DIN IEC 68-1

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Relaterade länkar