Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

32,48 kr

(exkl. moms)

40,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 580 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1816,24 kr32,48 kr
20 - 4814,73 kr29,46 kr
50 - 9813,665 kr27,33 kr
100 - 19812,71 kr25,42 kr
200 +11,705 kr23,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3867
Tillv. art.nr:
IPD85P04P407ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

relaterade länkar