Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 582,50 kr

(exkl. moms)

18 227,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,833 kr14 582,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3865
Tillv. art.nr:
IPD85P04P407ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-85A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

7.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

69nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

88W

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, DIN IEC 68-1

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Relaterade länkar