Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
258-3861
Tillv. art.nr:
IPD70P04P409ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-73A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

75W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Relaterade länkar