Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

35,17 kr

(exkl. moms)

43,962 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 856 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1817,585 kr35,17 kr
20 - 4815,85 kr31,70 kr
50 - 9814,895 kr29,79 kr
100 - 19813,89 kr27,78 kr
200 +12,825 kr25,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3845
Tillv. art.nr:
IPD50P04P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

relaterade länkar