Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 258-3843
Tillv. art.nr:: IPD50P04P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 532,50 kr

(exkl. moms)

15 665,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	5,013 kr	12 532,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3843
Tillv. art.nr:: IPD50P04P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-40V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IPD
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	10.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	58W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	45nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Framåtriktad spänning Vf	-1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -50A
	Maximal källspänning för dränering Vds -40V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IPD
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 10.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 58W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Framåtriktad spänning Vf -1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P4L11ATMA2

Infineon IPD-serien MOSFET, 40 V drain-source-spänning, 58 W effektförlust – IPD50P04P4L11ATMA2

Denna MOSFET är en P-kanals effekttransistor avsedd för högströmsomkoppling i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är utformad för krävande temperaturmiljöer, vilket gör den lämplig för tillämpningar där värmebeständighet och kompakt förpackning är viktiga.

Funktioner och fördelar:

• Låg Rds(on) på 10.6 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Kontinuerlig dräneringsström -50 A stöder höga strömbelastningar
• Gate-laddning 45 nC möjliggör förutsägbar omkopplingsenergi
• Maximum Vgs 5 V säkerställer säkra grindstyrningsgränser
• Ytmonteringen av TO-252 möjliggör kompakta kortlayouter

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för omkopplingskretsar med hög polaritet
• Används med värmehantering för utökade temperatursystem
• Kan användas för DC-strömkontroll i fordonselektronik

Vilka extrema temperaturer tål den?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Vilken förpacknings- och monteringstyp används den?

Den levereras i en TO-252-kapsel avsedd för ytmontering.

Hur fungerar enheten under högeffektsförhållanden?

Den möjliggör upp till 58 W avledning, vilket möjliggör hållbar effekthantering med lämplig värmehantering.

Finns det begränsningar för drain-source-spänning och gate-drivning?

Enheten anger en maximal drain-source-spänning på -40 V och en maximal gate-source på 5 V.