Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 860,00 kr

(exkl. moms)

14 825,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,744 kr11 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3843
Tillv. art.nr:
IPD50P04P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-50A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Maximal effektförlust Pd

58W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons OptiMOS-P2 effekttransistor ger lägsta möjliga förluster vid switchning och ledning för högsta termiska effektivitet. Robusta paket med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.

Ingen laddningspump krävs för drivning på högsidan

Enkel drivkrets för gränssnitt

Högsta strömkapacitet

Relaterade länkar