Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

26,10 kr

(exkl. moms)

32,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 428 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1813,05 kr26,10 kr
20 - 4811,65 kr23,30 kr
50 - 9810,81 kr21,62 kr
100 - 19810,135 kr20,27 kr
200 +6,495 kr12,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3842
Tillv. art.nr:
IPD50P03P4L11ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-50A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Serie

IPD

Kapseltyp

PG-TO-252

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

10.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-0.31 V

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal effektförlust Pd

58W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Relaterade länkar