Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3864
- Tillv. art.nr:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
33,38 kr
(exkl. moms)
41,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 844 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 16,69 kr | 33,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3864
- Tillv. art.nr:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | PG-TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp PG-TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2-effekttransistor har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Ingen laddningspump krävs för High-Side-drivning
Enkel gränssnittsdrivkrets
Högsta strömkapacitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101