Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

51,30 kr

(exkl. moms)

64,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 74 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1825,65 kr51,30 kr
20 - 4823,07 kr46,14 kr
50 - 9821,56 kr43,12 kr
100 - 19820,05 kr40,10 kr
200 +18,705 kr37,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3820
Tillv. art.nr:
IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Relaterade länkar