Sök efter MPN

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

RS-artikelnummer:: 258-3820
Tillv. art.nr:: IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

52,64 kr

(exkl. moms)

65,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 76 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 - 18	26,32 kr	52,64 kr
20 - 48	23,63 kr	47,26 kr
50 - 98	22,12 kr	44,24 kr
100 - 198	20,55 kr	41,10 kr
200 +	19,21 kr	38,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3820
Tillv. art.nr:: IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P4L06ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar