Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1820
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
13 117,00 kr
(exkl. moms)
16 396,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 13,117 kr | 13 117,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1820
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon p channel logic level MOSFET has highest current capability and 100 percent avalanche tested. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and reverse battery protection.
It is RoHS compliant and AEC qualified
It has 175°C operating temperature
It is robust package
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V Förbättring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 100 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 80 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 120 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 17 A 800 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 273 A 100 V Förbättring TO-263, iPB AEC-Q101
