Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
258-3819
Tillv. art.nr:
IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Relaterade länkar