Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0710
- Tillv. art.nr:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
29,34 kr
(exkl. moms)
36,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 14,67 kr | 29,34 kr |
| 20 - 48 | 13,05 kr | 26,10 kr |
| 50 - 98 | 12,15 kr | 24,30 kr |
| 100 - 198 | 11,425 kr | 22,85 kr |
| 200 + | 10,53 kr | 21,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0710
- Tillv. art.nr:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 158A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.78V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 158A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.78V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
Very low voltage overshoot
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 80 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 5 A 250 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
