Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0717
- Tillv. art.nr:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
43,23 kr
(exkl. moms)
54,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 992 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 21,615 kr | 43,23 kr | - |
| 20 - 48 | 18,59 kr | 37,18 kr | 13% |
| 50 - 98 | 17,36 kr | 34,72 kr | 19% |
| 100 - 198 | 15,905 kr | 31,81 kr | 26% |
| 200 + | 14,895 kr | 29,79 kr | 31% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0717
- Tillv. art.nr:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 860mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.4mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 860mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V industriell effekt-MOSFET erbjuder en RDS(on)-reduktion på 43 % jämfört med tidigare generationer och är idealisk för höga omkopplingsfrekvenser. Enheterna i denna familj är speciellt utformade för synkron likriktering i telekom- och serverströmförsörjning. Dessutom kan de också användas i andra industriella tillämpningar som solenergi, lågspänningsenheter och adaptrar.
Högsta systemeffektivitet
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 186 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ