Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ

RS-artikelnummer:: 258-0709
Tillv. art.nr:: BSZ018N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

41 260,00 kr

(exkl. moms)

51 575,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 15 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	8,252 kr	41 260,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-0709
Tillv. art.nr:: BSZ018N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	158A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TSDSON
	Serie	BSZ
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	2.7mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	31nC
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Framåtriktad spänning Vf	780mV
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	IEC 61249-2-21, RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 158A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TSDSON
	Serie BSZ
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Framåtriktad spänning Vf 780mV
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ018N04LS6ATMA1

Infineon BSZ-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 158 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ018N04LS6ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta effektsteg. Den ger betydande kontinuerlig dräneringskapacitet och är lämplig för termiska miljöer över ett brett intervall. Enheten uppfyller RoHS-kraven och levereras i en 8-stifts TSDSON-kapsel för kortmontering med låg profil.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg Rds(on) på 2.7 mΩ möjliggör minskade ledningsförluster
• Hög effektförlust på 83 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Typisk grindladdning 31 nC stöder effektiv omkopplingskontroll
• Låg framåtvänd spänning på 0.78 V minskar spänningsfall i påläge
• Brett arbetsområde på -55 °C till 175 °C passar tuffa förhållanden

Användningsområden

• Lämplig för 40 V 158 A-effektsteg i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för SMD MOSFET-roller med hög strömstyrka i nätaggregat
• Används med ytmonterade layouter som kräver ett TSDSON-fotavtryck på 8-stifts
• Kan användas för omkoppling i kompakta högeffektsmoduler

Vilket paket och antal stift använder den?

Den levereras i en TSDSON-kapsel med åtta stift.

Vilka grindhanteringsgränser måste konstruktörer följa?

Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa.

Hur fungerar den vid varierande temperaturer?

Den fungerar i temperaturområden från -55 °C upp till 175 °C.

Är denna enhet lämplig för fordonsstandarder?

Det är inte specificerat att uppfylla standarder för fordonsindustrin.