Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0709
- Tillv. art.nr:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
41 260,00 kr
(exkl. moms)
51 575,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 8,252 kr | 41 260,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0709
- Tillv. art.nr:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 158A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 780mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 158A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 780mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 Power MOSFET 40 V-familjen är optimerad för en mängd olika tillämpningar och kretsar, t. ex. synkron likriktering i switchade nätaggregat i servrar, stationära datorer, trådlösa laddare, snabbladdare och ORing-kretsar. Förbättringar av på-resistans gör det möjligt för konstruktörer att öka effektiviteten, vilket möjliggör enklare termisk design och mindre parallellisering, vilket leder till minskade systemkostnader.
Högsta systemeffektivitet
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Mycket låg spänningsöverskridning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 250 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ