Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 260-5079
- Tillv. art.nr:
- BSZ0506NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,94 kr
(exkl. moms)
94,93 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,188 kr | 75,94 kr |
| 50 - 120 | 13,53 kr | 67,65 kr |
| 125 - 245 | 9,90 kr | 49,50 kr |
| 250 - 495 | 8,356 kr | 41,78 kr |
| 500 + | 6,832 kr | 34,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5079
- Tillv. art.nr:
- BSZ0506NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.30mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.30mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSZ-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ0506NSATMA1
Denna MOSFET är en N-kanal, ytmonterad transistor utformad för strömomkoppling och hantering i kompakta enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-begränsningar, vilket gör den lämplig för miljöer som kräver konsekventa elektriska prestanda och miljööverensstämmelse.
Funktioner och fördelar:
• 5.30 mΩ Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 40 A kontinuerlig dräneringsström för drift med hög ström
• 30 V drain-source-klassning för medelspänningskretsar
• TSDSON-paket möjliggör kompakt ytmonteringsintegrering
• Driftområde -55 °C till +150 °C för termisk motståndskraft
• 40 A kontinuerlig dräneringsström för drift med hög ström
• 30 V drain-source-klassning för medelspänningskretsar
• TSDSON-paket möjliggör kompakt ytmonteringsintegrering
• Driftområde -55 °C till +150 °C för termisk motståndskraft
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Idealisk för kraftfördelningsmoduler med hög strömstyrka
• Används med motordrivkretsar som kräver lågförlustbrytare
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
• Idealisk för kraftfördelningsmoduler med hög strömstyrka
• Används med motordrivkretsar som kräver lågförlustbrytare
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
Vilket antal stift ger enheten för PCB-layout?
Den använder ett 8-stiftsarrangemang för att stödja termisk och elektrisk routing.
Vilken kanalpolaritet använder den för omkopplingstopologi?
Enheten är av N-kanaltyp som lämpar sig för lågströms- eller synkronväxling.
Är denna komponent avsedd för fordonskvalificering?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder.
Vilken efterlevnad av miljödirektivet ingår?
Den uppfyller RoHS-kraven.
Vilken kapslingstyp bidrar till termisk prestanda på små kort?
TSDSON-kapseln erbjuder en ytmonterad formfaktor som bidrar till värmeavledning.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 149 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ