Infineon N Kanal, MOSFET, 149 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 259-1480
- Tillv. art.nr:
- BSZ019N03LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
100,13 kr
(exkl. moms)
125,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 905 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,026 kr | 100,13 kr |
| 50 - 120 | 17,852 kr | 89,26 kr |
| 125 - 245 | 14,00 kr | 70,00 kr |
| 250 - 495 | 11,67 kr | 58,35 kr |
| 500 + | 11,38 kr | 56,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1480
- Tillv. art.nr:
- BSZ019N03LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 149A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | BSZ | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.50mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 149A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie BSZ | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.50mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSZ-serien MOSFET, 30 V drain-source-spänning, 149 A kontinuerlig drain-ström – BSZ019N03LSATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals effekttransistor utformad för högströmsomkoppling i kompakta system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett 8-stifts TSDSON-paket som är lämpligt för monteringar med begränsat utrymme. Enheten är avsedd för tillämpningar som kräver låg ledningsförlust och robust termisk tolerans i krävande industriella miljöer.
Funktioner och fördelar:
• 2.50 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid drift med hög ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 149 A stöder omkoppling av tung belastning
• 30 V drain-source-klassning möjliggör omvandling av lågspänning
• Område -55 °C till +150 °C upprätthåller prestanda över temperaturer
• 8-stifts TSDSON-fotavtryck möjliggör kompakt ytmontering
• Kontinuerlig dräneringsström på 149 A stöder omkoppling av tung belastning
• 30 V drain-source-klassning möjliggör omvandling av lågspänning
• Område -55 °C till +150 °C upprätthåller prestanda över temperaturer
• 8-stifts TSDSON-fotavtryck möjliggör kompakt ytmontering
Användningsområden
• Lämpligt för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Idealisk för strömfördelning i industriella styrenheter
• Används med motorstyrkretsar som kräver låga Rds(on)
• Kan användas för serverströmskenor och lastomkopplare
• Lämplig för kompakta strömhanteringsmoduler
• Idealisk för strömfördelning i industriella styrenheter
• Används med motorstyrkretsar som kräver låga Rds(on)
• Kan användas för serverströmskenor och lastomkopplare
• Lämplig för kompakta strömhanteringsmoduler
Vilken gate-kanaltyp använder enheten?
Den använder en N-kanalkonfiguration som är lämplig för switching på låg sida.
Vilken monteringsstil krävs för montering?
Det kräver ytmonterad placering som är kompatibel med TSDSON-lödprocesser.
Är enheten klassad för fordonsstandardkvalificering?
Det är inte klassat som att uppfylla certifieringen enligt fordonsstandard.
Vilket miljögodkännande anges för farliga ämnen?
Den överensstämmer med RoHS-direktivet som begränsar vissa farliga material.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 149 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ