Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

43,01 kr

(exkl. moms)

53,762 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +21,505 kr43,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9296
Tillv. art.nr:
IRF6644TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

57A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SO-8

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

89W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

High current rating

Dual side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package

100 percent lead free (No RoHS exemption)

Relaterade länkar