Infineon Type N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263 IRF1405STRLPBF
- RS-artikelnummer:
- 257-9276
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-516
- Tillv. art.nr:
- IRF1405STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
124,59 kr
(exkl. moms)
155,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 680 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 24,918 kr | 124,59 kr |
| 25 - 45 | 22,422 kr | 112,11 kr |
| 50 - 120 | 21,19 kr | 105,95 kr |
| 125 - 245 | 19,69 kr | 98,45 kr |
| 250 + | 18,166 kr | 90,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9276
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-516
- Tillv. art.nr:
- IRF1405STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 55V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
relaterade länkar
- Infineon Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRL3705NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263
