Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

163,43 kr

(exkl. moms)

204,29 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 730 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +16,343 kr163,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2636
Tillv. art.nr:
IRL3705NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

89A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

170W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

98nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Höjd

17.79mm

Bredd

4.83 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

Relaterade länkar