Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- RS-artikelnummer:
- 214-4464
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
189,375 kr
(exkl. moms)
236,715 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 185 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,625 kr | 189,38 kr |
| 75 - 135 | 12,007 kr | 180,11 kr |
| 150 - 360 | 11,741 kr | 176,12 kr |
| 375 - 735 | 10,997 kr | 164,96 kr |
| 750 + | 10,227 kr | 153,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4464
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V D²Pak IRLZ44ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRL3705NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRFS52N15DTRLP
