Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- RS-artikelnummer:
- 214-4464
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
189,375 kr
(exkl. moms)
236,715 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 185 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,625 kr | 189,38 kr |
| 75 - 135 | 12,007 kr | 180,11 kr |
| 150 - 360 | 11,741 kr | 176,12 kr |
| 375 - 735 | 10,997 kr | 164,96 kr |
| 750 + | 10,227 kr | 153,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4464
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V D²Pak IRLZ44ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRL3705NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRFS52N15DTRLP
